3 Minuten
Huawei žengia į priekį kuriant 3 nm lustus
Huawei drąsiai plečia savo puslaidininkių gamybos ribas, pradėdama ambicingą dviejų pažangiausių 3 nm lustų kūrimo projektą. Nepaisydama griežtų JAV prekybos sankcijų, ribojančių prieigą prie moderniausių puslaidininkių technologijų, ši Kinijos technologijų gigantė siekia išplėsti savo puslaidininkių pajėgumus, žymėdama reikšmingą pokytį pasaulinėje lustų pramonėje.
Dvigubo kelio strategija: GAA FET ir anglies nanovamzdeliai
Pramonės šaltinių ir Taivano žiniasklaidos nutekinta informacija atskleidžia, kad Huawei remiasi dviguba strategija. Pirmasis kelias pagrįstas 3 nm Gate-All-Around (GAA) FET tipu – naujos kartos tranzistorių dizainu, kuris didina procesorių našumą ir energijos vartojimo efektyvumą. Antrasis – dar inovatyvesnis – siekia išnaudoti anglies nanovamzdelių (CNT) technologiją puslaidininkiuose, kuri gali tapti revoliucija ir leisti pranokti tradicinių silicio lustų galimybes. Abu projektai planuoja pasiekti „tape-out“ etapą iki 2026 m., o sėkmingai tęsiantis techniniam progresui, masinė gamyba galėtų prasidėti jau 2027 m.
Remiantis patirtimi: technologinių kliūčių įveikimas
Huawei dabartinė strategija remiasi ankstesniais pasiekimais, tokiais kaip 5 nm Kirin X90, pagamintas SMIC, neturint prieigos prie pažangios EUV litografijos įrangos iš ASML. Pasitelkus giluminę ultravioletinę (DUV) litografiją ir sudėtingus daugiaraščius modelius, SMIC pavyko pagaminti šiuos lustus, nors jų išeiga buvo vos apie 20 %, palyginus su tokiais lyderiais kaip TSMC ir Samsung, kurie taiko EUV litografiją gamindami 3 nm mikroschemas.
Nors GAA FET lusto dizainas gali užtikrinti geresnį našumą ir efektyvesnį energijos suvartojimą, palyginti su ankstesniais Kirin moduliais, inovacijos su anglies nanovamzdeliais ateityje gali peržengti silicio ribas. Visgi jų komercinio panaudojimo galimybės kol kas lieka neaiškios.
Iššūkiai, konkurencija ir puslaidininkių ateitis
Pagrindinis iššūkis – technologinio proceso išeiga. 3 nm masteliu naudojant DUV litografiją išeiga gali dar labiau sumažėti, didinant gamybos kaštus ir sudėtingumą. Vis dėlto Huawei investuoja daugiau nei 37 milijardus JAV dolerių į vietinių EUV litografijos įrankių kūrimą. Kai kurie ekspertai ir industrijos stebėtojai išreiškia optimizmą, kad iki 2026 m. Huawei gali pasiekti svarbių proveržių EUV srityje, sumažindama priklausomybę nuo tarptautinių tiekėjų. Tačiau skeptikų nuomone, tokios įmonės kaip ASML ir toliau stipriai dominuoja EUV technologijoje.
Rinkos poveikis ir pasaulinė reikšmė
Jei Huawei pavyks sėkmingai išvystyti konkurencingus 3 nm lustus, naudojant GAA FET ir galimai anglies nanovamzdelių architektūras, tai žymiai sumažintų atotrūkį su tokiais puslaidininkių milžinais kaip TSMC ar Samsung. Šis žingsnis ne tik sustiprintų Kinijos pozicijas puslaidininkių lenktynėse, bet ir paskatintų naujoves bei konkurenciją visoje pramonėje. Vis dėlto reikia įveikti nuolatinius iššūkius, tokius kaip žema išeiga ir priklausomybė nuo DUV procesų.
Artėjant 2026-iesiems, technologijų pasaulis atidžiai stebės tolimesnę Huawei pažangą puslaidininkių srityje ir galimus proveržius, galinčius iš esmės pakeisti globalų mikroschemų kraštovaizdį.
Kommentare